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鐵電隨機存取儲存器，或FRAM，依靠排列偶極子（分離的電荷）來表示0和1，使其具有RAM的速度，並且值得注意的是，它能夠在斷電情況下保留資料。不幸的是，FRAM無法提供那麼多的儲存空間：小型鐵電位中的偶極子並非都能輕易排列整齊。現在，阿肯色大學的研究人員可能已經發現了一種縮小鐵電位的途徑。他們模擬了鈣鈦礦（一種有前景的鐵電材料）的奈米尺寸圓盤和棒狀結構中偶極子的行為，發現它們會自發地扭曲成左旋和右旋螺旋形狀。這種渦旋標誌著鐵電材料的一個新階段，並且由於它們非常微小且彼此之間的相互作用較弱，因此它們可以非常緊密地堆積在一起，這可能會使其記憶體密度提高10萬倍。請閱讀該小組在2004年12月9日《自然》雜誌上發表的報告。