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今年一月，英特爾宣佈，它可以透過在其絕緣層中用金屬鉿取代氧化矽來進一步縮小電晶體的尺寸。絕緣體調節電子源極和漏極之間的電流流動，因此有助於控制電晶體的開關速度：絕緣體越薄，開關速度越快。此外，電晶體越小，晶片上可以容納的電晶體就越多。但是，隨著矽基絕緣體尺寸的縮小，它們會洩漏電荷，迫使晶片消耗更多功率才能執行。鉿在如此小的尺寸下具有優異的絕緣效能，使其比矽“洩漏”更少。藉助這種金屬，英特爾預計將其電晶體的最小尺寸從今天的 65 奈米縮小到纖薄的 45 奈米，從而保持電晶體小型化按預期軌道快速發展。IBM 表示，它計劃明年釋出類似的改進型電晶體。